中國科學院半導體研究所 - 常州市金壇精工儀器設備有限公司
       1所情概況編輯
中國科學院半導體研究所[1] 是集半導體物理、材料、器件及其應用研究于一體的半導體科學技術的綜合性研究所。半導體所設有:半導體超晶格國家重點實驗室,中國科學院半導體照明研發中心,半導體材料科學中心,半導體材料科學重點實驗室,光電子研究發展中心,半導體集成技術工程研究中心,光電子器件國家工程研究中心,高速電路與神經網絡實驗室,表面物理國家重點實驗室(半導體所區),納米光電子實驗室,全固態光源實驗室、光電系統實驗室、圖書信息中心。其中有兩個***研究中心,三個國家重點實驗室,一個中國科學院院級研發中心和一個院級重點實驗室。
半導體所現有中科镓英半導體有限公司、揚州中科半導體照明有限公司、蘇州中科半導體集成技術研發中心等合資公司。
爲了適應知識**的需要,經過學科調整和目標凝練,主要研究領域包括:光電子及其集成技術;體材料、薄膜材料、微結構半導體材料科學技術;低維量子體系和量子工程、量子器件的基礎研究;半導體人工神經網絡和特種微電子技術。
半導體所共有10名中國科學院院士(已故兩位),2名中國工程院院士,其中已故黃昆院士榮獲2001年度國家*高科學技術獎。
半導體所現有職工640余人,其中科技人員460余人,正副研究員及上等工程技術人員198名,千人計劃2人,“百人計劃”入選者及國家“傑青”獲得者35名、國家百千萬人才工程入選者6名。
半導體所是國家首批建立的博士後流動站設站單位和博士、碩士學位授予單位,設有三個博士後流動站、四個博士學科專業點、五個碩士學科專業點。在讀研究生共540余名,其中博士研究生285名,博士後在站人員近30名,研究生已經成爲半導體所科研工作的生力軍。

2簡介編輯

1956年,在我国十二年科学技术发展远景规划中,半导体科学技术被列为当时国家新技术四大紧急措施之一。为了创建中国半导体科学技术的研究发展基地,国家于1960年9月6日在北京成立中國科學院半導體研究所(以下简称半导体所),开启了中国半导体科学技术的发展之路。
半導體所擁有兩個***研究中心—國家光電子工藝中心、光電子器件國家工程研究中心;三個國家重點實驗室—半導體超晶格國家重點實驗室、集成光電子學國家重點聯合實驗室、表面物理國家重點實驗室(半導體所區);兩個院級實驗室(中心)—半導體材料科學重點實驗室、中科院半導體照明研發中心。此外,還設有半導體集成技術工程研究中心、光電子研究發展中心、半導體材料科學中心、高速電路與神經網絡實驗室、納米光電子實驗室、光電系統實驗室、全固態光源實驗室和半導體能源研究發展中心。並成立了圖書信息中心,爲研究所提供科研支撐服務。
半導體研究所現有職工640余名,其中科技人員460余名,中國科學院院士8名,中國工程院院士2名,正副研究員及上等工程技術人員198名,“百人計劃”入選者及國家“傑青”獲得者35名、國家百千萬人才工程入選者6名。其中黃昆先生榮獲2001年度國家*高科學技術獎。設有5個碩士學位授予點,3個工程碩士培養點,4個博士學位授予點,3個博士後流動站。
半導體所高度重視國內外交流合作,與地方政府、科研機構、大學和企業等共建了1個院士工作站、3個研發(轉移)中心、9個聯合實驗室,積極爲企業和區域經濟社會發展服務。同時積極開展多層次、全方位的國際學術交流與合作,成績顯著,科學技術部和國家外國專家局批准成立“***國際聯合研究中心”。並且以自主知識産權的磚利和專有技術投資,融合社會資本建立了10余家高技術企業,並實施科研成果轉化爲現實生産力,已初步形成産業化、商品化規模。
半導體所秉承“以人爲本、**跨越、唯真求實、和諧發展”的辦所理念,奮鬥不息,勇攀高峰,取得了快速發展,研究所已逐漸發展成爲集半導體物理、材料、器件研究及其系統集成應用于一體的***半導體科學技術的綜合性研究機構。
半導體所的中長期發展戰略目標是:開展與國家發展密切相關的、世界科技前沿的基礎性、前瞻性、戰略性科技**活動,爲發展我國的高新技術提供源源不斷的動力;以國家戰略需求爲導向,開展戰略高技術研究,爲國民經濟和國防建設提供科技支撐,並爲相關老男人网的技術進步作出貢獻;吸引、聚集和培養國際上等人才;建立具有國際先進水平的、開放的實驗研究和測試平台,實現科技**能力的跨越和持續發展,成爲引領我國半導體科學技術發展的火車頭。

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